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26/12/2014
Almacenamiento molecular para superar la Ley de Moore
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Duplicar la cantidad de transistores cada dos años ha sido la misión por excelencia del mundo informático, pero a medida que nos acercamos al fondo de la miniaturización, es necesario reinterpretar dicha misión. En el caso de las memorias Flash, el uso de las estructuras MOS ha cerrado las puertas en los diez nanómetros, sin embargo, un nuevo avance permitiría guardar múltiples bits en una sola molécula, rompiendo así todos los límites de almacenamiento.

Todos los caminos conducen a los transistores.

¿Cómo los hacemos más pequeños a los transistores? ¿Cómo podemos agrupar más en un espacio reducido? ¿De qué manera anulamos el impacto del calor? ¿Qué alternativas existen para que sean más estables y económicos? Estoy seguro de que hay ingenieros y científicos en este mismo momento rebanando sus cerebros y trabajando sobre las respuestas a esas preguntas. Cada componente en un computador está sometido a límites. Dependiendo de la generación, algunos diseños pueden rodear o eliminar dichos límites, pero los transistores cuentan una historia diferente.

Intel ha dicho que posee soluciones hasta los cinco nanómetros extendiendo la Ley de Moore por lo menos ocho años más. En cambio, la situación de las memorias Flash es más crítica. La estructura MOS aplicada en el diseño de células de datos es extremadamente difícil de fabricar por debajo de los diez nanómetros.

Una de las teorías más fuertes entre los científicos es la de utilizar moléculas individuales para almacenar datos. Alta resistencia y pobre estabilidad térmica eran los dos problemas principales detrás de esta teoría, pero un grupo de investigadores de las universidades de Glasgow y Rovira i Virgili han logrado desarrollar una solución general utilizando polioxometalatos, o POM.

Las moléculas diseñadas de POM tienen la capacidad de retener carga y comportarse de la misma manera en que lo hace una memoria Flash. Al mismo tiempo, una adición de selenio en el núcleo de los POM haría a la memoria invulnerable a cualquier método de recuperación de datos, después de ser borrados por el usuario.

La mejor parte es que la integración de los POM no sería un dolor de cabeza para los fabricantes, ya que pueden ser creados con maquinaria y dispositivos disponibles en la industria del almacenamiento. En otras palabras, toda nueva tecnología que requiera modificaciones mínimas en las líneas de producción debería llegar al mercado más rápido. Aún así, ninguno de los participantes en el proyecto dio fechas estimadas.

Otro aspecto para optimizar es el económico. A modo de referencia, el precio de un pendrive con capacidad de un terabyte supera los 900 dólares. Con aumentos drásticos en el espacio disponible, los números finales necesitan ser mucho más razonables para el consumidor.

Fuente:Physorg.

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FUENTE

Lisandro Pardo - neoteo.com
neoteo.com



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